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超級結MOSFET及低成本IGBT方案用於電動汽車充電樁

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Shangs54139699 發表於 2019-7-26 17:33 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
電動汽車進程在持續推進以配合節能減排的趨勢,對充電樁的需求激增。為縮短充電時間和節省空間,需要更高能效、輸出功率、功率密度和可靠的電源模組方案。本次研討會將重點介紹安森美半導體強大陣容中的高壓超級結MOSFET、具成本優勢的IGBT及二極體方案,關鍵參數優於競爭對手,有助於實現更高性能、能效和更低損耗,是用於電動汽車充電樁DC-DC、功率因數校正(PFC)等電源模組的極佳選擇。






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