安森美半導體基於SiC的混合IGBT和隔離型大電流IGBT門極驅動

展示針對強固電源應用的混合IGBT和廣泛的IGBT驅動器，提供同類中最佳的電流性能和保護特性

【2019年4月30日】推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），將於5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基於碳化矽（SiC）的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器。

AFGHL50T65SQDC採用最新的場截止IGBT和SiC蕭特基二極體（Schottky Diode）技術，提供低導通損耗和開關損耗，用於多方面的電源應用，包括那些將得益於更低反向恢復損耗的應用，如基於圖騰柱的無橋功率因數校正（Power factorcorrection；PFC）和逆變器。

該器件將矽基IGBT與SiC蕭特基勢壘二極體共同封裝，從而在矽基方案的較低性能和完全基於SiC方案的較高成本之間提供出色的權衡。該高性能器件額定工作電壓650 V，能夠處理高達100 A@25 °C（50 A@100 °C）的連續電流，以及高達200 A的脈衝電流。對於需要更大電流能力的系統，正溫度系數令並行工作更簡便。

現代電動汽車的應用不僅利用能源行駛，在某些情況下還能儲存能量，以便在高峰時期為家庭供電。這需要一個雙向充電器，必須有高的開關效率，以確保轉換時不浪費能量。在這種情況下，整合外部SiC二極體的IGBT比MOSFET方案提供更高能效，因為沒有相關的正向或反向恢復損耗。

AFGHL50T65SQDC可在高達175 °C的結溫下工作，適用於包括汽車在內的最嚴苛的電源應用。它完全符合AEC-Q 101認證，進一步證明其適用於電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV） 車載充電機。

除了新的混合IGBT，安森美半導體還將在PCIM推出並展示一系列新的隔離型大電流IGBT驅動器。NCD(V)57000系列針對多種電源應用，包括太陽能逆變器、電機驅動、不斷電供應系統（UPS）和汽車應用如動力總成和PTC加熱器。

NCD(V)57000系列是大電流單通道IGBT驅動器，內置電器安全隔離設計（galvanic safety isolation designed），以在要求高可靠性的電源應用中提供高能效工作。該器件具有輸入互補、漏極開路故障和輸出準備就緒、主動米勒鉗制（Active Miller Clamp）、精確欠壓鎖定（UVLO）、軟關斷去飽和（DESAT）保護、負門極電壓接腳和單獨的高、低驅動輸出等特點，為系統設計提供靈活性。

該器件的電器隔離額定值大於5 kVrms，滿足UL 1577的要求，工作電壓高於1200 V，保證8 mm爬電距離（輸入>輸出）以滿足強化的安全隔離要求。NCD(V)57000器件可提供7.8 A驅動電流和7.1 A汲電流能力，是某些競爭器件的三倍多。更重要的是，它們還具有在米勒平坦區工作時更大的電流能力，同時結合其先進的保護特性，使它們成為同類最佳的IGBT驅動器。