低功耗SiC二極體可實現最高功率密度

相較於矽，碳化矽（SiliconCarbide；SiC）蕭特基二極體採用全新的技術，提供更出色的開關性能與更高的可靠性。SiC沒有反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性以及出色的散熱性能，因此被視為下一代的功率半導體。

安森美半導體擴充了其650伏特（V）SiC二極體系列，提供更高的能效、更高的功率密度及更低的系統成本。工程師在設計用於太陽能的光伏反流器、電動車/混合動力電動車（EV / HEV）充電器、通訊電源及數據中心電源等各類應用的功率因素校正（PFC）及升壓轉換器時，往往會面對到以更小尺寸實現更高能效的挑戰。然而，這些全新的二極體能為工程師解決這些挑戰。

自從16年前第一款SiC二極體問市以來，此項技術已經日漸成熟，質量/可靠性測試以及現場測試都已充分證明了其高品質的水準。

在基板處理、外延生長與製造方面的進步明顯降低了密度缺陷，我們將看到持續的技術改進及更高的產量。安森美半導體在整個工業週期採用了獨特的方法，以確保客戶可以獲得最高品質的產品。

另一個重要考量是SiC二極體/ MOSFET的設計。SiC能夠應付高場的應力，因此很多設計都是為了對應這些高應力的條件。例如，在設計終端結構時需要花很多心思，才能確保元件的耐用性。

利用寬能隙（WideBand Gap；WBG）材料的獨特特性，SiC技術提供了比矽更實在的優勢，其堅固的結構可以為嚴苛環境中的應用提供可靠的方案。我們的客戶將受益於這些經簡化、性能更佳、尺寸設計更小的新元件。

SiC為系統提供顯著的好處。SiC更高的開關頻率可以使用更小的磁性元件與無源元件，使系統整體縮小50％以上，進而大幅節省整體元件與製造的成本。

欲了解更多資訊，請參閱安森美半導體最新650 V碳化矽（SiC）蕭特基二極體系列的新聞稿。