安森美加速碳化矽創新，助力推進電氣化趨勢

2024 年 7 月 19 日 - 面對不斷升級的氣候危機和急劇成長的全球能源需求，世界各地的政府和企業都在為宏大的氣候目標而攜手努力，致力於減輕環境影響，實現可持續未來。其中的關鍵在於推進電氣化趨勢，以減少碳排放並提高可再生能源利用率。為加速全球電氣化轉型，安森美（納斯達克股票代號： ON）推出了最新一代碳化矽技術平臺 EliteSiC M3e MOSFET，並披露計畫將在 2030 年前推出多代新產品。

安森美電源配置事業群總裁 Simon Keeton 表示：“電氣化的未來依賴先進的功率半導體，而電源創新對於實現全球電氣化和阻止氣候變化至關重要。如果電源技術沒有重大創新，現有的基礎設施將無法滿足全球日益成長的智慧化和電氣化交通需求。我們正在積極推動技術創新，計畫到 2030 年大幅提升碳化矽技術的功率密度，以滿足日益增加的能源需求，並助力全球電氣化轉型。”

在這一過程中，EliteSiC M3e MOSFET 將發揮關鍵作用，推動提升下一代電氣系統的性能和可靠性，同時降低每千瓦成本，從而加速普及電氣化舉措並強化實施效果。該平臺能夠在更高的開關頻率和電壓下運行，同時可有效降低電源轉換損耗，因此對於電動汽車動力系統、直流快速充電樁、太陽能逆變器和儲能方案等廣泛的汽車和工業應用至關重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 將促進資料中心向更高效、更高功率轉變，以滿足永續人工智慧引擎日益成長的能源需求。

高效可靠平臺  帶來跨世代效率躍進

憑藉安森美獨特的設計工程和製造能力，EliteSiC M3e MOSFET 在值得信賴且經過實際驗證的平面架構上顯著降低了導通損耗和開關損耗。與前幾代產品相比，該平臺能夠將導通損耗降低 30%，並將關斷損耗降低多達 50%1。透過延長SiC 平面 MOSFET 的壽命並利用 EliteSiC M3e 技術實現出色的性能，安森美可以確保該平臺的堅固和穩定性，使其成為關鍵電氣化應用的理想選擇。

EliteSiC M3e MOSFET 還提供超低導通電阻 (RSP) 和抗短路能力，這對於佔據 SiC 市場主導地位的主驅逆變器至關重要。1200V M3e 晶片採用安森美先進的分立和功率模組封裝，與之前的 EliteSiC 技術相比，能夠提供更大的相電流，使同等尺寸主驅逆變器的輸出功率提升約 20%。換句話說，在保持輸出功率不變的情況下，新設計所需的 SiC 材料可以減少 20%，成本更低，並且能夠實現更小、更輕、更可靠的系統設計。

此外，安森美還提供更廣泛的智慧電源技術，包括柵極驅動器、DC-DC 轉換器、電子保險絲等，並均可與 EliteSiC M3e 平臺配合使用。透過優化和協同設計功率開關、驅動器和控制器的端到端一體化組合，安森美將多項進階特性整合在一起，並降低了整體系統成本。

加速未來電源技術發展

未來十年，全球能源需求預計會急劇增加，因此我們迫切需要提高半導體的功率密度。安森美正積極遵循其碳化矽技術發展藍圖，不僅引領裸片架構上的創新，還致力於探索新型封裝技術，以此持續滿足產業對更高功率密度的廣泛需求。

每一代新的碳化矽技術都會優化單元結構，在更小的面積上高效傳輸更大的電流，進而提高功率密度。結合自身先進的封裝技術，安森美將能顯著提升性能並減小封裝尺寸。透過將摩爾定律引入碳化矽技術的開發，安森美同時研發多代產品，持續推動實現其發展藍圖，以達成在 2030 年前加速推出多款 EliteSiC 新產品。

安森美電源配置事業群技術行銷高級總監 Mrinal Das 表示：“憑藉數十年來在功率半導體領域積累的深厚經驗，我們不斷突破技術瓶頸，在工程和製造方面實現創新，以滿足全球日益成長的能源需求。碳化矽的材料、裝置與零組件和封裝技術之間存在很強的相互依賴性。我們完全掌控了這些關鍵技術，因此能夠自主控制設計和製造過程，更快地推出新一代產品。”

EliteSiC M3e MOSFET 採用產業標準的 TO-247-4L 封裝，樣品現已上市。