安森美半導體推出新的900 V和1200 V SiC MOSFET用於高要求的應用

新的SiC MOSFET元件實現更好的性能、更高的能效和能在嚴苛條件下工作

【2020年3月11日】—推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出另兩個碳化矽(SiC) MOSFET系列，擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。 這些新元件適用於各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站，提供的性能水準是矽(Si) MOSFET根本無法實現的。

安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N型通道SiC MOSFET提供比矽更快的開關性能和更高的可靠性。快速本征二極體具有低反向恢復電荷，顯著降低損耗，提高工作頻率以及整體方案的功率密度。

小晶片尺寸進一步增強高頻工作，達至更小的元件電容和更低的閘電荷-Qg（低至220 nC），從而降低在高頻下工作時的開關損耗。這些增強功能比基於Si的MOSFET提高能效，降低電磁干擾(EMI)，並可使用更少（或更小）的被動元件。極強固的SiC MOSFET比Si元件提供更高的浪湧額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命，這對高要求的現代電源應用至關重要。 較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態特性，減少元件導通時產生的靜態損耗。

1200 V元件的額定電流高達103 A（最大ID），而900 V元件的額定電流高達118 A。對於需要更高電流的應用，安森美半導體的MOSFET可易於並聯運行，因其正溫係數/不受溫度影響。

安森美半導體電源配置部功率MOSFET分部副總裁/總經理Gary Straker針對新的SiC MOSFET元件說：「如果設計工程師要達到現代可再生能源、汽車、IT和電信應用要求的具挑戰性的高能效和功率密度目標，他們需要高性能、高可靠性的MOSFET元件。 安森美半導體的WBG SiC MOSFET提升性能至超越矽元件所能提供的，包括更低的損耗、更高的工作溫度、更快的開關速度、改善的EMI和更高的可靠性。 安森美半導體為進一步支援工程界，還提供廣泛的資源和工具，簡化和加速設計流程。」

安森美半導體的所有SiC MOSFET都不含鉛和鹵化物，針對汽車應用的元件都符合AEC-Q100車規和生產件批准程式(PPAP)。 所有元件都採用行業標準的TO-247或D2PAK封裝。

更多資訊及文件：

網頁：寬能隙

影片：寬能隙 (WBG)用於太陽能和可再生能源應用、寬能隙用於混動 /電動(HEV/EV)充電應用  

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安森美半導體（ONSemiconductor，美國納斯達克上市代號：ON）致力於推動高效能電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體是基於半導體的解決方案之領導供應商，提供全面性的高效能電源管理、類比、感測器、邏輯、時序、連線、離散元件、系統單晶片（SoC）及客製化元件。安森美半導體的產品幫助工程師解決在汽車、通訊、運算、消費性電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。安森美半導體擁有敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案，及一套嚴謹的審查標準和道德規範計畫，在北美、歐洲和亞太地區的關鍵市場的營運網路更包括製造廠、銷售辦公室和設計中心。欲瞭解更多資訊請參閱：http://www.onsemi.com。

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