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安森美半導體推出新的乙太網供電（PoE）方案 支援IoT端點日益增長的功率需求
符合IEEE 802.3bt標準，針對不同應用提供90 W功率，
包括智慧感測器、建築自動化和聯接的照明
【2019年9月5日】推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），憑藉不斷增長的符合IEEE802.3bt標準的產品和技術陣容引領產業。乙太網供電（PoE）使用新的IEEE802.3bt標準，可用於通過局域網（LAN）聯接提供高達90 W的高速互聯。安森美半導體的方案不僅支援新標準的功率限制，還將功率擴展到100 W用於電信和數位標識等系統。
新的IEEE802.3bt PoE標準有潛力變革物聯網（IoT）所涉及的每個垂直市場，使更精密的端點可在更大的網路運行。IEEE802.3bt標準通過新的「Autoclass」特性最佳化能量管理，令受電裝置（PD）將其特定的功率需求傳遞給供電裝置（PSE）。這也令每個PSE僅向每個PD分配適當的功率量，從而最大化可用能量和頻寬。
與IEEE 802.at標準（PoE+）提供的30 W相比，IEEE 802.3bt可提供高達90 W的功率和互聯到新的應用，無需專用且通常為離線的電源。PoE將簡化網路拓撲，並提供更穩定的「隨插即用（plug and play）」用戶體驗。
商業信息供應商IHS Markit電源半導體高級分析師Kevin Anderson表示：「乙太網供電是當今電源半導體發展最快的市場之一，預計2017年到2022年的複合平均單位增長率為14%。IEEE 802.3bt中定義的更高供電能力促成新的應用，如更高功率聯接的照明、聯網的高解析度監控攝影機和高性能無線接入點。」
NCP1095和NCP1096介面控制器構成安森美半導體PoE-PD方案的基礎，具有PoE介面所需的所有特性，包括檢測、自動分類和限流。控制器採用一個外部（NCP1095）或內部（NCP1096）熱插拔FET。NCP1096整合的熱插拔FET具有Type 3或Type 4 PoE控制器可提供的最低導通電阻。控制器配以NCP1566 DC-DC控制器、FDMC8622單MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge™四通道MOSFET，為PoE應用中的二極體橋提供更有效的替代方案。這些元件賦予高能效的PoE介面，最高可達標準的90 W功率限制，若需更高的功率，可用專用的100 W方案。
安森美半導體工業和離線電源配置副總裁Ryan Cameron表示：「作為一家專注於高能效的公司，我們很高興能促進PoE充分發揮潛力。安森美半導體提供全系列符合IEEE 802.3bt的方案，使這技術更容易普及所有開發工程師，有助於使更多聯接的裝置擁有保證的互通性。」
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更多資源及文檔：
登陸頁面（landing page）：乙太網供電（PoE）方案
影音：您需要更大功率
部落格：開啟更大功率IoT應用的大門
白皮書：四通道MOSFET方案替代二極體橋方案顯著提高PoE能效
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安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON）致力於推動高效能電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體是基於半導體的解決方案之領導供應商，提供全面性的高效能電源管理、類比、感測器、邏輯、時序、連線、離散元件、系統單晶片（SoC）及客製化元件。安森美半導體的產品幫助工程師解決在汽車、通訊、運算、消費性電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。安森美半導體擁有敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案，及一套嚴謹的審查標準和道德規範計畫，在北美、歐洲和亞太地區的關鍵市場的營運網路更包括製造廠、銷售辦公室和設計中心。欲瞭解更多資訊請參閱：http://www.onsemi.com。
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