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基於溝槽架構的第四代碳化矽平台降低損耗，協助AI、電動車和能源應用實現更緊湊的電源系統
摘要
安森美（onsemi）推出基於溝槽架構的第四代碳化矽平台EliteSiC™ M4。與上一代相比，該平台有助於將功率密度提升達30%，損耗降低達35%。EliteSiC M4進一步提升導通和開關性能，有助於實現更高效率、更高功率密度的AI資料中心、電動車及能源基礎設施系統。
新聞要點：
- EliteSiC™ M4以更高的功率密度和更低的損耗，協助客戶提升性能和效率，同時優化系統尺寸，並管理冷卻需求
- 延續安森美在碳化矽領域經過驗證的領先優勢，全球搭載安森美碳化矽產品的車輛已經過實際上路驗證，累計行駛里程超過160億英里
- EliteSiC™ M4 750 V車用牽引裸晶現已供貨，更多電壓規格預計於2027年推出，最高可達1200 V
台北訊，2026年11月10日——安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）今日推出EliteSiC™ M4第四代碳化矽（SiC）平台，旨在為下一代電源系統樹立新的性能標竿。EliteSiC M4憑藉業界領先的導通和開關性能，為客戶提供更大的設計自由度，可將功率密度和效率提升達30%，損耗降低達35%，進而實現更高效率、更高功率密度的電動車、AI資料中心和工業應用系統。
「電力需求的增長速度超過相關實體基礎設施的擴展速度。下一代電源系統需要在更小空間內，以更高效率輸送更多電力，」安森美電源解決方案事業群總裁Achyut Shah表示，「全球搭載安森美碳化矽產品的車輛已經過實際上路驗證，累計行駛里程超過160億英里。EliteSiC M4在這一可靠性基礎上，進一步提供客戶所需的性能，幫助他們重新優化功率、效率、尺寸與成本之間的權衡。」
在實際應用的各種限制條件下提供更高功率
AI、電氣化和能源基礎設施的發展，給電源系統設計人員帶來了一個共同挑戰：在顯著提升功率的同時，避免系統尺寸、能量損耗和冷卻需求同比例增加。EliteSiC M4解決了這一挑戰，無需大幅改變現有系統條件，也能提升功率和效率，為客戶擴展AI基礎設施、電動車和工業系統提供更大的靈活性。
在主要目標市場中，EliteSiC M4將這些技術進步轉化為明確的系統級優勢：
- AI資料中心：提升算力規模，而無需同比例擴展電力基礎設施。更高功率密度的電力轉換可幫助資料中心從每一兆瓦電力中獲得更多算力，在最大限度提升容量的同時，減少單位算力所需的配套基礎設施。
- 電動車：釋放電驅動系統的更高性能。更緊湊、更高效的牽引逆變器可幫助汽車製造商增加車輛續航里程。
- 能源基礎設施：充分利用每一單位能源。更高效率、更高功率密度的電力轉換有助於降低太陽能、儲能及其他高壓系統的轉換損耗。
「隨著車輛功率不斷提高，如何兼顧牽引逆變器的效率、熱性能、功率密度和可靠性，也成為越來越大的設計挑戰，」舍弗勒集團（Schaeffler AG）馬達控制事業部副總裁Harald Hartel表示，「更高的效率和功率密度可以為我們提供更大的設計靈活性，從而針對續航里程、熱性能和空間佈局進一步優化牽引逆變器。隨著電動化動力系統的要求不斷提高，這些因素也日益重要。」
面向更高功率密度和效率的新架構
EliteSiC M4提升導通和開關性能，同時不犧牲可靠性。與上一代相比，主要改進包括：
- 比導通電阻（RSP）改善：比導通電阻降低20%至50%，同時支援更快的開關速度
- 開關損耗更低：開關品質因數在硬開關條件下提升67%，在軟開關條件下提升50%，從而支援緊湊型電源設計
- 廣泛的封裝靈活性：支援現有封裝，包括頂部散熱表面黏著封裝和大功率模組
- 面向嚴苛應用的高可靠性：該平台面向嚴苛運作環境設計，支援185°C及以上溫度的認證要求，可用於高壓車用和航太應用
供貨
用於汽車牽引逆變器的EliteSiC M4 750 V裸晶：現已供貨。
更多電壓規格預計於2027年陸續推出，最高可達1200 V。
更多資訊：
關於安森美（onsemi）
安森美（onsemi, 納斯達克股票代號：ON）提供智能電源和智能感知技術，推動汽車、工業及人工智慧資料中心等終端市場實現電氣化升級，並提升能效、安全性和自動化水準。憑藉高度差異化的創新產品組合，安森美協助客戶克服複雜挑戰，以實現更高能效、更優性能和更低的系統成本，攜手共建一個更安全、更清潔、更節能的世界。安森美被納入標普500指數。瞭解更多關於安森美的資訊，請造訪：http://www.onsemi.com。
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