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中微出貨於韓國領先記憶體製造商用於3D VNAND快閃記憶體製...

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Charlotte 發表於 2015-7-15 16:33 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
-Primo SSC AD-RIE™將在客戶最先進的試生產線上投入運行
美通社/ -- 中微半導體設備有限公司(簡稱「中微」) 宣佈 Primo SSC AD-RIE™(中微單反應台電漿蝕刻設備)已出貨於韓國領先的記憶體製造商。 Primo SSC AD-RIE™ 是中微公司目前最先進的介電質蝕刻設備,可用於1X納米關鍵蝕刻製程晶片加工。 在此之前,中微的 Primo SSC AD-RIE™ 已在南韓的16納米最關鍵的蝕刻步驟上實現大批量生產。 這台出貨的設備將在客戶最先進製程的 3D VNAND 試生產線上投入運行。

行動電子產品的飛速發展、以及大數據、社交傳媒的廣泛應用,使得人們對記憶體的存儲容量和讀取速度提出了更高的要求。 當前一代的 2D NAND 製程很快將無法滿足不斷升級的需求。3D VNAND 代表了下一代先進技術製程,中微的客戶正是技術進步的領跑者。 像存儲故障、微影技術的局限性等問題使在 2D NAND 製程層面很難繼續向下一代製程節點過渡,3D VNAND 則能解決這一難題。 3D VNAND 帶來的好處還包括提高存儲容量和讀取速度,提升功率效能和可靠性,並降低生產成本。
「認識到 3D VNAND 快閃記憶體技術是存儲技術的未來,我們在研發上投入了大量的人力和物力,與客戶緊密合作,開發用於這種高端製程技術所必需的蝕刻技術。 」中微副總裁兼關鍵記憶體及邏輯產品客戶總經理 KI Yoon 說道:「能夠在這家領先客戶的 3D VNAND 試生產線上佔有一席之地是對我們長期努力的肯定。 另外,在這個只有少數一線蝕刻設備供應商高度競爭的領域,我們相信,我們的製程品質和面對嚴峻技術挑戰的快速反應能力使我們贏得了訂單。 我們很高興也很自豪,能夠為這一重要客戶開發這項製程。」
Primo SSC AD-RIE 是採用高抽氣率,低壓,高能脈衝電漿的手段為高深寬比蝕刻而開發的產品。 這是中微 Primo 蝕刻產品家族中的最新一代產品。 像中微其他所有蝕刻設備一樣,Primo SSC AD-RIE 具備先進的技術水準、超高的生產效率和較低的生產成本。
中微高管將參加下周(7月14日至16日)在美國舊金山舉辦的美國半導體設備和材料展覽會 SEMICON West。 一年一度的 SEMICON West 展會是全球半導體設備行業精英的重要盛會。
更多關於 SSC AD-RIE 和中微其他設備的資訊,請前往公司網站:www.amec-inc.com

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